特許
J-GLOBAL ID：200903077720003153
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-311723
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200947
出願日： 1999年11月01日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置における転位密度を減少させ、かつクラックをなくす。【解決手段】 珪素が添加された厚さ100μmのn型Al0.1Ga0.9N基板10の表面上に膜厚1.0μmのn型クラッド層11、膜厚30ÅのIn0.15Ga0.85N井戸層と膜厚50ÅのIn0.05Ga0.95Nバリア層とを交互に10層ずつ繰り返し、多重量子井戸として形成した活性層12、膜厚1.0μmのp型クラッド層13および膜厚1.5μmのp型コンタクト層14が順次形成される。さらにn型Al0.1Ga0.9N基板10の裏面にn型オーミック電極15が形成され、またp型GaNコンタクト層14の上にp型オーミック電極16が形成されている。
請求項（抜粋）：
Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)からなる基板と、前記基板の上に形成されたAlを含むIII族窒化物半導体よりなる第1半導体層と、を備え、前記基板のAl組成比xと前記第1半導体層のAl組成比との差が0.15より小さい半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 5/343
, H01L 33/00 C
