特許

J-GLOBAL ID：200903016839814274

半導体装置の製造方法および基板処理装置

発明者： 佐野 敦 ,  堀井 貞義 ,  板谷 秀治 ,  浅井 優幸
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (3件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2005000751
公開番号（公開出願番号）：WO2005-071723
出願日： 2005年01月21日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

金属原子とシリコン原子を含む膜中の窒素濃度分布を容易に制御でき、高品質な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。 基板30上に金属原子とシリコン原子を含む膜を反応室4で成膜するステップと、前記膜に対して窒化処理を行うステップとを有し、前記成膜ステップでは、少なくとも2段階でシリコン濃度を変化させて成膜するようにした。

請求項（抜粋）：

基板上に金属原子とシリコン原子を含む膜を成膜するステップと、 前記膜に対して窒化処理を行うステップとを有し、 前記成膜ステップでは、少なくとも2段階でシリコン濃度を変化させて成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/56

FI (3件)：

H01L21/316 X ,  C23C16/30 ,  C23C16/56

Fターム (27件)：

4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA10 ,  4K030BA29 ,  4K030BA42 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC11 ,  5F058BC12 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD15 ,  5F058BD16 ,  5F058BD18 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-063337   出願人：株式会社日立国際電気