特許
J-GLOBAL ID:200903016842706318
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-185420
公開番号(公開出願番号):特開2009-261020
出願日: 2009年08月10日
公開日(公表日): 2009年11月05日
要約:
【課題】スイッチング素子を強制的に遮断する際、誘導負荷の大きさによらず所望のクランプ電圧で、精度よく誘導起電力の大きさを抑制する技術を提供する。【解決手段】IGBT1(スイッチング素子)のゲート-コレクタ間に第1クランプ素子3が、ゲートに放電抵抗部16が接続される。タイマー回路7は、IGBT1をオン状態に駆動するオン信号の入力が所定時間以上継続すると、Hレベルの信号をNMOSトランジスタ26及びゲート駆動回路9に出力する。ゲート駆動回路9は、タイマー回路7からの信号に基づいてIGBT1をオフ状態に駆動する。NMOSトランジスタ26は、タイマー回路7からの信号に応答して、選択的に第2クランプ素子28をIGBT1のゲート-コレクタ間に接続する。【選択図】図8
請求項(抜粋):
電流入力端子に誘導負荷が接続されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の制御端子・電流入力端子間に接続された第1クランプ素子と、
前記スイッチング素子の制御端子・接地電位間に接続された放電抵抗部と、
を備え、
前記スイッチング素子を駆動することにより、前記誘導負荷に誘導起電圧を発生させる半導体装置であって、
前記スイッチング素子をオン状態に駆動するためのオン信号が所定時間以上入力されると、所定の信号を出力するタイマー回路と、
前記所定の信号に応答して、前記スイッチング素子の制御端子・電流入力端子間に選択的に接続される第2クランプ素子と、
をさらに備え、
前記第2クランプ素子は、前記第1クランプ素子の降伏電圧よりも小さな降伏電圧を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H03K 17/08
, H03K 17/56
, F02P 11/00
, F02P 3/055
FI (4件):
H03K17/08 Z
, H03K17/56 Z
, F02P11/00 Z
, F02P3/055 D
Fターム (24件):
3G019BA01
, 3G019CA13
, 3G019FA02
, 3G019FA04
, 3G019FA06
, 3G019FA13
, 3G019FA15
, 5J055AX32
, 5J055BX16
, 5J055CX13
, 5J055DX09
, 5J055EY00
, 5J055EY05
, 5J055EY10
, 5J055EY13
, 5J055EY21
, 5J055EZ00
, 5J055EZ25
, 5J055FX04
, 5J055FX12
, 5J055FX32
, 5J055GX01
, 5J055GX02
, 5J055GX04
引用特許:
審査官引用 (1件)
-
内燃機関用点火装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-162290
出願人:株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング
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