特許

J-GLOBAL ID：200903016843607500

ICチップにおいて銅相互接続配線

発明者： ラルフ サルヴァトアー モイアー ,  ヴィヴィアン ワンダ ラヤン
出願人/特許権者： アギア システムズ ガーディアン コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-110719
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351940
出願日： 2001年04月10日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路の銅金属配線上に障壁層を形成するための方法を提供する。【解決手段】 障壁層は、ワイヤボンディング相互接続配線とハンダバンプ相互接続配線との両方に対して有効である。障壁層は銅上に形成されるTi/Niである。アルミニウムボンディングパッドは、ワイヤボンディング相互接続配線のための障壁層上に形成され、銅ボンディングパッドは、ハンダバンプ相互接続配線のための障壁層上に形成される。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路を製造するための方法であって、(a)前記半導体集積回路の選択される部分に第1の層を堆積するステップであって、前記第1の層は、チタンおよびクロムからなるグループから選択される材料からなる、該堆積するステップと、(b)前記第1の層上に、ニッケルを含む第2の層を堆積するステップと、(c)前記第2の層上に、アルミニウムを含む第3の層を堆積するステップと、(d)ボンディングパッドを形成するために、前記第1の層と、前記第2の層と、前記第3の層とをエッチングするステップと、(e)前記第3の層に導電性のワイヤ相互接続配線をボンディングするステップとを有する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 602 H ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 603 D

Fターム (28件)：

5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH32 ,  5F033LL02 ,  5F033MM08 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033RR22 ,  5F033VV07 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F044EE04 ,  5F044EE06 ,  5F044EE21 ,  5F044QQ05 ,  5F044RR08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-263663   出願人：日本電気株式会社
• 特公昭61-007742
  
• 特公昭61-007742
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-007260   出願人：旭化成工業株式会社