特許
J-GLOBAL ID：200903016846103871
半導体素子の駆動回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-127619
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330935
出願日： 1998年05月11日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子のスイッチング動作中における主電極の電流の変化率あるいは主電極間電圧の変化率を一定にするなど所望のスイッチング特性が得られる駆動回路を得る。【解決手段】 スイッチング信号発生手段4がオン/オフ信号を発し、電流変化率設定手段19がIGBT素子1のコレクタ電流Icの変化率を指令する。第1の関数発生手段20が、ゲート1aへ供給する電流から電流変化率設定手段19で設定したIGBT素子1のスイッチング特性への伝達関数の逆関数を発生して、ゲート電流発生手段18へ指令する。
請求項（抜粋）：
制御電極間に印加する電圧によって主電極間の導通状態を制御する電圧駆動形自己消弧半導体素子の前記制御電極間に接続される駆動回路において、前記電圧駆動形自己消弧半導体素子をオン/オフする信号を発生するスイッチング信号発生手段と、このスイッチング信号発生手段の出力により前記電圧駆動形自己消弧半導体素子のスイッチング特性に関する指令を発生するスイッチング特性設定手段と、このスイッチング特性設定手段の出力により前記制御電極へ供給する電流の指令を発生する関数発生手段と、この関数発生手段の出力により前記制御電極へ供給する電流を発生する電流発生手段とを有し、前記関数発生手段は、前記制御電極へ供給する電流から前記スイッチング特性設定手段で設定した前記電圧駆動形自己消弧半導体素子のスイッチング特性への伝達関数の逆関数を発生するようにしたことを特徴とする半導体素子の駆動回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03K 17/16 F
, H02M 1/08 A
