特許
J-GLOBAL ID：200903016854220399

めっき膜及びその形成方法

発明者：
作山 誠樹

作山 誠樹 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-083074
公開番号（公開出願番号）：特開2007-254860
出願日： 2006年03月24日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】外部応力に伴うウィスカの成長を効果的に抑制することができるめっき膜及びその形成方法を提供する。【解決手段】リードフレーム10を構成する基材11の表面及び裏面には、錫又は錫合金からなる錫めっき膜13が形成されている。錫合金としては、例えば錫-銅合金(銅の含有量:2質量%)、錫-ビスマス合金(ビスマスの含有量:2質量%)等が挙げられる。基材11は、例えばCu合金等から構成されている。錫めっき膜13内には、複数の結晶粒12が不規則に配列している。更に、錫めっき膜13中に、複数の空隙部14が存在する。その後に曲げ加工等が行われても、錫めっき膜13中に空隙部14が存在しているため、外部応力が緩和される。このため、外部応力に伴うウィスカの成長が抑制される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基材の表面に形成された錫又は錫合金のめっき膜であって、 結晶粒間に空隙部が存在することを特徴とするめっき膜。
IPC (3件)：
C25D 7/00 ,  C25D 7/12 ,  C25D 3/32
FI (4件)：
C25D7/00 G ,  C25D7/00 H ,  C25D7/12 ,  C25D3/32
Fターム (23件)：
4K023AA04 ,  4K023AA17 ,  4K023CB03 ,  4K023CB33 ,  4K023DA07 ,  4K023DA08 ,  4K023DA11 ,  4K024AA07 ,  4K024AA21 ,  4K024AB01 ,  4K024AB19 ,  4K024BB10 ,  4K024BB13 ,  4K024BC10 ,  4K024CA01 ,  4K024CA02 ,  4K024CA04 ,  4K024CA06 ,  4K024CA16 ,  4K024CB21 ,  4K024DA04 ,  4K024DA05 ,  4K024GA16
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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