特許

J-GLOBAL ID：200903016863845423

半導体装置およびその製造方法

発明者： 引地 敏彰
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-058950
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252118
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 ゲート配線層の下部に存在する酸化膜部分における絶縁破壊の発生を低減し、信頼性を向上した半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 P型拡散層121は所定の間隔をあけて離散的に形成されている。そして、隣合うP型拡散層121間の上部の酸化膜5aの上にはゲート電極層6が形成されているが、P型拡散層121上に形成された酸化膜5cの上部および、P型拡散層121の端縁上部に対応する酸化膜5a上にはゲート電極層6は形成されていない。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の一方の主面内に選択的に形成された第2導電型の第1の半導体層と、該第1の半導体層の表面内に選択的に形成された第1導電型の第2の半導体層と、前記第1および第2の半導体層上から前記半導体基板上に渡って形成された第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜上に形成された制御電極と、前記第2の半導体層上に形成された第1の主電極と、前記半導体基板の他方の主面上に形成された第2の主電極とを有して構成されるユニットセルを複数備える半導体装置において、前記半導体基板の一方の主面の前記ユニットセルが形成されない所定領域の表面内に選択的に形成された第2導電型の第3の半導体層と、前記第3の半導体層上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成され、前記制御電極に電気的に接続される制御電極配線層とを備え、前記制御電極配線層と前記制御電極との電気的接続は、前記制御電極から延在する制御電極延在部においてなされ、前記制御電極延在部は、前記第3の半導体層上には形成されないことを特徴とする半導体装置。

FI (4件)：

H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 301 K ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 L

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-241647   出願人：株式会社東芝