特許
J-GLOBAL ID:200903016880384642

電子部品

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 後藤 洋介 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-103703
公開番号(公開出願番号):特開平9-270332
出願日: 1996年03月29日
公開日(公表日): 1997年10月14日
要約:
【要約】【課題】 高インダクタンスと低抵抗とによって生じる高Q特性を得ることができる電子部品を提供し,回路電流と外部磁界との干渉も大幅に低減された安定なインダクタ又はトランスが得られる電子部品を提供すること。【解決手段】 フェライト基板11aと,フェライト基板11a上に,導体パターン13a〜dと絶縁層12a〜dとを交互に積層して形成した積層体15と,導体パターン13a〜dに電気接続されるとともにフェライト基板11aと積層体15とに渡って導体パターンに電気接続されるように形成された外部電極端子部24とを備えた電子部品において,フェライト基板11aと磁性層2とによって前記導体パターン13a〜dの少なくとも一部を収容する閉磁路構造を成している。
請求項(抜粋):
基板と,前記基板上に,導体パターンと絶縁層とを交互に積層して形成した積層体と,前記導体パターンに電気接続されるとともに前記基板と前記積層体とに渡って形成された外部電極端子部とを備えた電子部品において,前記導体パターンの少なくとも一部を収容する閉磁路構造を備えていることを特徴とする電子部品。
IPC (2件):
H01F 17/00 ,  H01F 27/36
FI (2件):
H01F 17/00 D ,  H01F 15/04
引用特許:
審査官引用 (4件)
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