有機薄膜トランジスタ、有機TFT装置およびそれらの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-306861
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146430
出願日： 2002年10月22日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】ポリマー支持体などのフレキシブルベース上に連続して有機TFT装置を形成することができ、したがって製造コストを大幅に低減でき、かつ性能の優れた有機薄膜トランジスタ、有機TFT装置およびそれらの製造方法を提供すること。【解決手段】ゲート電極と、ゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層に隣接する有機半導体層と、該有機半導体層に接触するソース電極及びドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記ソース電極及びドレイン電極は、それぞれ異なる導電性材料を含む2層から構成されていることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、ゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層に隣接する有機半導体層と、該有機半導体層に接触するソース電極及びドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記ソース電極及びドレイン電極は、それぞれ異なる導電性材料を含む2層から構成されていることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/786 , H01L29/417 , H01L51/00

FI (4件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/50 M , H01L29/28

Fターム (78件)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD33 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104DD62 , 4M104DD63 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104EE03 , 4M104EE05 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104EE18 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104HH15 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG31 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG51 , 5F110GG52 , 5F110GG53 , 5F110GG55 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK10 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ14 , 5F110QQ30

引用特許：

審査官引用 (5件)

有機半導体装置及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-264964 出願人：株式会社日立製作所
特開昭61-135164
特開昭59-124162

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