特許
J-GLOBAL ID：200903016899233912

有機薄膜トランジスタ、有機TFT装置およびそれらの製造方法

発明者：
平井 桂

平井 桂 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタホールディングス株式会社

コニカミノルタホールディングス株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-306861
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146430
出願日： 2002年10月22日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】ポリマー支持体などのフレキシブルベース上に連続して有機TFT装置を形成することができ、したがって製造コストを大幅に低減でき、かつ性能の優れた有機薄膜トランジスタ、有機TFT装置およびそれらの製造方法を提供すること。【解決手段】ゲート電極と、ゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層に隣接する有機半導体層と、該有機半導体層に接触するソース電極及びドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記ソース電極及びドレイン電極は、それぞれ異なる導電性材料を含む2層から構成されていることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、ゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層に隣接する有機半導体層と、該有機半導体層に接触するソース電極及びドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタにおいて、 前記ソース電極及びドレイン電極は、それぞれ異なる導電性材料を含む2層から構成されていることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L51/00
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/50 M ,  H01L29/28
Fターム (78件)：
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD33 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD62 ,  4M104DD63 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG31 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG53 ,  5F110GG55 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK10 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ30
引用特許：
審査官引用 (7件)
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