特許
J-GLOBAL ID：200903046110136248

有機半導体素子

発明者：
永山 健一

永山 健一 について

, 
中村 健二

中村 健二 について


出願人/特許権者：
パイオニア株式会社

パイオニア株式会社 について


代理人 (1件)： 藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-265170
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103905
出願日： 2002年09月11日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】駆動電圧の上昇を抑え得る有機半導体素子を提供する。【解決手段】対向する1対の電極の間に成膜されたキャリア移動性の有機半導体層を備えた有機半導体素子は、1対の電極の少なくとも一方と有機半導体層との間に接触して挿入されかつ接触する電極の仕事関数の値と有機半導体層のイオン化ポテンシャルの値との間の仕事関数又はイオン化ポテンシャルの値を有するバッファ層を含む。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
対向する1対の電極の間に成膜されたキャリア移動性の有機半導体層を備えた有機半導体素子であって、前記1対の電極の少なくとも一方と前記有機半導体層との間に接触して挿入されかつ前記接触する電極の仕事関数の値と前記有機半導体層のイオン化ポテンシャルの値との間の仕事関数又はイオン化ポテンシャルの値を有するバッファ層を備えることを特徴とする有機半導体素子。
IPC (3件)：
H01L29/786 ,  H01L29/80 ,  H01L51/00
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/80 V ,  H01L29/28
Fターム (32件)：
5F102FA00 ,  5F102FB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GK01 ,  5F102GL01 ,  5F110AA09 ,  5F110BB01 ,  5F110BB13 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110CC09 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110GG05 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34
引用特許：
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM