特許
J-GLOBAL ID：200903016922244560
強磁性トンネル接合素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-293143
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097766
出願日： 1997年09月17日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】本発明は、室温以上で大きな磁気抵抗比を示し、かつ化学的・機械的に安定な強磁性トンネル接合素子を提供することにある。【解決手段】強磁性トンネル接合素子を、室温以上のキュリー点を有するハーフメタル酸化物層と絶縁バリア層で構成することにより、室温以上で100%の理論スピン分極率に対応した大きな磁気抵抗比を示す素子を提供できる。この素子は全て酸化物で構成されていることにより、化学的・機械的熱的に安定した特性を示すので、磁気センサ・磁気ヘッド・固体素子メモリなどに好適である。
請求項（抜粋）：
絶縁体バリア層の両側を、室温以上のキュリー点を有するハーフメタル強磁性酸化物層が挟みこむ構造を特徴とする強磁性トンネル接合素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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