特許

J-GLOBAL ID：200903016925995281

薄膜評価方法

発明者： 水田 有美 ,  渡辺 悟
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-213569
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055955
出願日： 2002年07月23日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜など絶縁薄膜を形成するのみで、その膜特性やSi基板/絶縁膜界面の構造を測定できるようにし、短期間で絶縁薄膜の成膜条件に対するフィードバックをかけることができるようにする。【解決手段】Siウエハ21及びSiウエハ21上に形成された絶縁薄膜22のみを試料23とし、赤外分光法(図1(B)参照)を適用して絶縁薄膜22の膜質を測定し評価する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ウエハ及び該ウエハ上に形成された絶縁薄膜のみを試料とし、赤外分光法を適用して該絶縁薄膜の膜質を測定し評価すること を特徴とする薄膜評価方法。

IPC (2件)：

H01L21/66 ,  G01N21/35

FI (2件)：

H01L21/66 Q ,  G01N21/35 Z

Fターム (17件)：

2G059AA05 ,  2G059BB16 ,  2G059EE01 ,  2G059EE12 ,  2G059HH01 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ01 ,  2G059KK01 ,  4M106AA01 ,  4M106AB02 ,  4M106BA08 ,  4M106CA21 ,  4M106CA52 ,  4M106CB30 ,  4M106DH13 ,  4M106DH60 ,  4M106DJ32

引用特許：

審査官引用 (3件)

• シリコン酸化膜の評価方法及び装置、並びに半導体装置の製造方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-049019   出願人：富士通株式会社
• シリコンウエハ表面の酸化膜の被膜率測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-090605   出願人：東芝セラミックス株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-170966   出願人：日本電気株式会社