特許

J-GLOBAL ID：200903016938609356

水素選択シリカ膜

発明者： オヤマ,シエゴ,ティー. ,  ジャック,ダグ,エス. ,  ツァン,リーション ,  リー,ドゥーワン
出願人/特許権者： コノコフィリップス・カンパニー ,  バージニア テック インテレクチュアル プロパティーズ インコーポレーテッド
代理人 (4件)： 岡田 英彦 ,  福田 鉄男 ,  犬飼 達彦 ,  石岡 隆
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-508937
公開番号（公開出願番号）：特表2005-528198
出願日： 2003年06月03日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

水素透過選択膜、透過選択膜を形成する方法、並びに透過選択膜、多孔性基材、及び任意の中間層を備える装置が説明される。低反応物質ガス濃度で化学蒸着(CVD)を用いることで、水素透過性の減少を最小限にして高い透過選択率が達成される。

請求項（抜粋）：

多孔性表面層及び多孔性基材層を有する透過選択非対称膜であって、 前記多孔性表面層はCVDガス流中に約0.112mol/m3以下の濃度を有するCVD反応物質ガスの化学蒸着によって蒸着される透過選択非対称膜。

IPC (5件)：

B01D69/02 ,  B01D53/22 ,  B01D71/02 ,  C01B33/12 ,  C23C16/42

FI (5件)：

B01D69/02 ,  B01D53/22 ,  B01D71/02 500 ,  C01B33/12 Z ,  C23C16/42

Fターム (36件)：

4D006GA41 ,  4D006MA02 ,  4D006MA06 ,  4D006MA09 ,  4D006MA25 ,  4D006MB03 ,  4D006MC01 ,  4D006MC03X ,  4D006NA31 ,  4D006PA03 ,  4D006PB18 ,  4D006PB66 ,  4G072AA41 ,  4G072BB09 ,  4G072FF02 ,  4G072FF04 ,  4G072FF06 ,  4G072GG02 ,  4G072HH28 ,  4G072NN13 ,  4G072UU30 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA29 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA15 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA01 ,  4K030HA04 ,  4K030JA06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第5,453,298号
  
• PCT特許出願PCT/US00/02075
  

審査官引用 (1件)

• 水素分離膜およびその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-196228   出願人：エヌオーケー株式会社, 諸岡成治