特許

J-GLOBAL ID：200903016957263746

磁性積層体および磁気抵抗効果素子

発明者： 荒木 悟 ,  宮内 大助 ,  成宮 義和
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-060891
公開番号（公開出願番号）：特開平6-251941
出願日： 1993年02月25日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【構成】 Fe、CoおよびNiの1種以上を含む磁性薄膜(膜A)と、Ag薄膜(膜B)とを交互に積層する。磁性薄膜およびAg薄膜は、分子線エピタキシー法で成膜する。膜Aおよび膜Bの界面部分における原子の混合率M=〔(NA +NB )-2(xA +xB )〕/(NA +NB )(ただし、膜AおよびBの構成原子をAおよびBとしたとき、膜AおよびBの界面から膜厚の1/2の厚さに本来存在するA原子およびB原子の数をそれぞれNA およびNB とし、膜Bおよび膜Aにそれぞれ侵入したA原子およびB原子の数をそれぞれxA およびxB とする。)は0.65〜1.0とする。【効果】 磁気抵抗変化率、飽和印加磁界強度、磁場感度が向上する。

請求項（抜粋）：

Fe、CoおよびNiの1種以上を含む磁性薄膜(膜A)と、Ag薄膜(膜B)とが積層されており、前記膜Aおよび膜Bはともに分子線エピタキシー法によって積層されており、膜Aおよび膜Bの界面部分における原子の混合率M=〔(NA +NB )-2(xA +xB )〕/(NA +NB )(ただし、膜Aおよび膜Bの構成原子をAおよびBとしたとき、膜Aおよび膜Bのそれぞれ界面から膜厚の1/2の厚さに本来存在するA原子およびB原子の数をそれぞれNA およびNB とし、膜Bおよび膜Aにそれぞれ侵入したA原子およびB原子の数をそれぞれxA およびxB とする。)が0.65〜1.0である磁性積層体。

IPC (2件)：

H01F 10/16 ,  H01F 41/20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-020409
  
• 特開平1-110413
  
• コンベヤ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-199655   出願人：株式会社ダイフク
• 荷搬送装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-006054   出願人：株式会社ダイフク