特許

J-GLOBAL ID：200903016974036672

低抵抗n型および低抵抗p型単結晶AlN薄膜の合成法

発明者： 吉田 博
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-208612
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031059
出願日： 1998年07月07日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 低抵抗n型および低抵抗p型単結晶AlN薄膜の製造。【解決手段】 原子状AlのビームとN2 を電磁波で励起または分解した原子状もしくは分子状Nを半導体基板上で急冷成長することにより単結晶AlN薄膜を成長させる際に、n型ドーパントとp型ドーパントを原子状ビームにして同時にドーピングすることにより結晶中にn型のドーパントとp型のドーパントの対を形成させて低抵抗n型および低抵抗p型単結晶AlN薄膜を合成する。

請求項（抜粋）：

原子状AlのビームとN2 を電磁波で励起または分解した原子状もしくは分子状Nを半導体基板上で急冷成長することにより単結晶AlN薄膜を成長させる際に、n型ドーパントとp型ドーパントを原子状ビームにして同時にドーピングすることにより結晶中にn型のドーパントとp型のドーパントの対を形成させて低抵抗n型および低抵抗p型単結晶AlN薄膜を合成する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/203 ,  C30B 29/38

FI (2件)：

H01L 21/203 M ,  C30B 29/38 C

Fターム (25件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077EB02 ,  4G077ED06 ,  4G077EJ01 ,  4G077EJ04 ,  4G077FE11 ,  4G077FE16 ,  4G077HA06 ,  5F103AA04 ,  5F103BB06 ,  5F103BB09 ,  5F103DD01 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK07 ,  5F103KK10 ,  5F103LL01 ,  5F103NN01 ,  5F103NN06 ,  5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 化学気相堆積装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-322507   出願人：日新電機株式会社, 日本碍子株式会社