特許
J-GLOBAL ID：200903017000032684
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-037687
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226446
出願日： 1994年02月12日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 チャネル幅を正確に制御することによりチャネルコンダクタンスを変えることの出来る半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板と、前記半導体基板主面に形成された第2導電型のソース/ドレイン領域4と、前記半導体基板主面上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ソース/ドレイン領域上及びこのソース/ドレイン領域間の上に前記ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極3と、前記ゲート電極のセルフアライメントによるイオン注入及び熱拡散により形成され、前記ゲート電極下の前記ソース/ドレイン領域間に形成されているチャネル領域10を間に挟む少なくとも一方に前記半導体基板の不純物濃度より高濃度の不純物濃度を有する第1導電型不純物拡散領域9とを備え、前記第1導電型不純物拡散領域は、前記チャネル領域のチャネル幅を制限する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板主面に形成された第2導電型のソース/ドレイン領域と、前記半導体基板主面上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ソース/ドレイン領域上及びこのソース/ドレイン領域間の上に前記ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極のセルフアライメントによるイオン注入及び熱拡散により形成され、前記ゲート電極下の前記ソース/ドレイン領域間に形成されているチャネル領域を間に挟む少なくとも一方に前記半導体基板の不純物濃度より高濃度の不純物濃度を有する第1導電型不純物拡散領域とを備え、前記第1導電型不純物拡散領域は、前記チャネル領域のチャネル幅を制限することを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/8246
, H01L 27/112
, G11C 11/56
, H01L 21/265
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 29/78
H01L 27/10 433
, G11C 11/34 381 A
, H01L 21/265 W
, H01L 27/04 G
, H01L 29/78 301 S
