特許

J-GLOBAL ID：200903017069858070

半導体積層構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法

発明者： 石川 博康 ,  江川 孝志 ,  梅野 正義 ,  阿久津 仲男 ,  松本 功
出願人/特許権者： 名古屋工業大学長 ,  日本酸素株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-103391
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294829
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 n型不純物濃度を増加させた場合においてもn型窒化ガリウム系化合物半導体の表面平坦性や結晶性を損なうことが無く、n型窒化ガリウム系化合物半導体層を有する発光素子や電子走行素子を高性能化、高信頼化することができる半導体積層構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法を提供する。【解決手段】 アンドープもしくはn型の不純物が添加された窒化ガリウム系化合物半導体からなる第1の半導体層1上に、第1の半導体層1より高濃度のn型の不純物が添加された窒化ガリウム系化合物半導体からなる第2の半導体層3を形成してなる半導体積層構造において、これら第1の半導体層1と第2の半導体層3との間に、不純物濃度が第1の半導体層1から第2の半導体層3まで連続的に変化するn型の窒化ガリウム系化合物半導体からなる第3の半導体層2を形成してなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

アンドープもしくはn型不純物が添加された窒化ガリウム系化合物半導体からなる第1の半導体層上に、該第1の半導体層より高濃度のn型不純物が添加された窒化ガリウム系化合物半導体からなる第2の半導体層を形成してなる半導体積層構造において、これら第1の半導体層と第2の半導体層との間に、不純物濃度が前記第1の半導体層から前記第2の半導体層まで連続的に変化するn型窒化ガリウム系化合物半導体からなる第3の半導体層を形成してなることを特徴とする半導体積層構造。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  C01B 21/00 ,  C23C 16/00 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  C01B 21/00 ,  C23C 16/00 ,  H01L 21/205

Fターム (42件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030LA12 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB19 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA58 ,  5F045EB15 ,  5F045EE17 ,  5F045GB11 ,  5F045GB12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-104804   出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝