特許

J-GLOBAL ID：200903017085763348

半導体基板の鏡面研磨方法

発明者： 松尾 浩 ,  吉野 寿文
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-270007
公開番号（公開出願番号）：特開平7-100738
出願日： 1993年10月01日
公開日（公表日）： 1995年04月18日
要約：

【要約】【目的】 複数の鏡面研磨装置を使用した場合、研磨能率の向上と極めて高精度の鏡面研磨が可能な半導体基板の鏡面研磨方法の提供。【構成】 研磨液は研磨液タンク2からポンプ3で圧送されて複数機配置される鏡面研磨装置11,12,...1nにそれぞれ供給され、稼働しない装置では圧送された研磨液を三方弁81,82,...8nで切り替えてリターン路9へと送り研磨液タンク2に戻し、稼働中の装置では研磨液回収皿で回収した研磨液がリターン路9から研磨液タンク2に戻る構成で、研磨液タンク2で一定時間ごとに該濃度を測定し、測定値に応じて砥粒供給管11から砥粒を補給あるいは溶液供給管12より溶液補給して常時所定の研磨砥粒濃度を維持する。【効果】 複数の鏡面研磨装置における研磨速度を一定にすることが可能になり、メカニカル作用及びケミカル作用を一定化することで研磨資材の経時変化の抑制が可能となり、結果的に加工歪やスクラッチなどのない、高精度で高能率の鏡面研磨を実現。

請求項（抜粋）：

表面に研磨布が貼着された研磨布定盤と半導体基板を配置したワーク定盤とを当接させて半導体基板及び/又は研磨布表面に溶液に砥粒を懸濁させた研磨液を供給しながら上下定盤を相対回転運動させて研磨する半導体基板の鏡面研磨装置において、研磨液タンクより複数の鏡面研磨装置に研磨液を供給可能にかつ研磨後の研磨液を回収して該タンクに戻して再利用する研磨液の循環供給系を設け、研磨液タンク内の研磨砥粒濃度を測定し、砥粒及び/又は溶液を供給して研磨砥粒濃度を一定に保持し、各鏡面研磨装置における研磨速度を所定速度に維持することを特徴とする半導体基板の鏡面研磨方法。

IPC (3件)：

B24B 1/00 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/304 321

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-066565
  
• 特開昭51-002093
  
• 研磨液供給装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-213607   出願人：キヤノン株式会社