半導体素子検査装置及びその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-274997
公開番号（公開出願番号）：特開2002-082130
出願日： 2000年09月06日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】従来構成では、電極パッド部にプローブを押し付けると、垂直方向にのみしか押圧力が作用せず、アルミナなどからなる酸化膜を破るために、押圧力を大きくしなければならなかった。【解決手段】本発明では、第一基板に形成した複数のプローブ位置は、個々の梁上であって、梁の中心からずれた位置に形成し、かつ、絶縁層を介して、配線がプローブから2次電極パッド部まで連続してつながっている構造とした。なお、梁にシリコンからなる両端支持梁を用い、プローブを両端支持梁の支持部側にずらした位置に形成した構造とすることで、検査用電極パッドへ接触するプローブは、電極パッドの個々の高さばらつきを吸収し、かつ電極パッドの表面をこすりながら電極パッドに対して確実に低押圧力でコンタクトを行うことができ、良好な接触抵抗が得られる。

請求項（抜粋）：

検査用半導体素子の複数の電極パッドと、検査装置に配置された複数の電気接続基板のうち、第一基板に形成された複数の梁上にプローブを設け、前記プローブを個々に直接接触させて、電気的に接続しながら半導体素子を検査する装置において、前記プローブは、前記梁の支持部側の位置に形成され、絶縁層を介して、配線がプローブから2次電極パッド部まで連続してつながっていることを特徴とする半導体検査装置。

IPC (3件)：

G01R 1/073 , G01R 31/26 , H01L 21/66

FI (3件)：

G01R 1/073 F , G01R 31/26 J , H01L 21/66 B

Fターム (25件)：

2G003AA10 , 2G003AC01 , 2G003AG04 , 2G003AH05 , 2G003AH07 , 2G011AA09 , 2G011AB08 , 2G011AC21 , 2G011AE03 , 2G011AF07 , 4M106AA01 , 4M106BA01 , 4M106BA14 , 4M106CA01 , 4M106CA27 , 4M106CA56 , 4M106DD06 , 4M106DD10 , 4M106DD13 , 4M106DD23 , 4M106DJ02 , 4M106DJ04 , 4M106DJ05 , 4M106DJ06 , 4M106DJ07

引用特許：

審査官引用 (1件)

プローブカード
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-335601 出願人：日本電子材料株式会社

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