特許
J-GLOBAL ID：200903017095219433

磁気光学体及びこの磁気光学体を用いた光アイソレータ

発明者：
加藤 英樹

加藤 英樹 について

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井上 光輝

井上 光輝 について

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高山 昭夫

高山 昭夫 について


出願人/特許権者：
ミネベア株式会社

ミネベア株式会社 について


代理人 (1件)： 萼 経夫 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-234461
公開番号（公開出願番号）：特開2002-049006
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 製造コスト及び製造歩留まりの向上を図ることができる磁気光学体及びこの磁気光学体を用いた光アイソレータを提供する。【解決手段】 磁気光学体300は、磁性体薄膜307の両側に屈折率Ms=3.11のSi膜320と屈折率Mt=1.415のSiO2膜321とのn層の積層膜からなる誘電体多層膜310,311を設けて構成した。屈折率差が大きい2種類の誘電体薄膜から構成された2組の誘電体多層膜310,311を用いていることで、中心部に、より強い光の局在化を示し、大きな磁気光学効果を得ることができ、少ない誘電体薄膜の積層数で大きなファラデー回転角を得ている。製造コストが小さくなり、また、プロセスコントロールも比較的容易になるため製造歩留まりの改善を図ることができる。
請求項（抜粋）：
異なる光学特性を有する2種類の誘電体薄膜がその厚さに規則性をもって交互に積層された2つの誘電体多層膜と、該2つの誘電体多層膜の間に設けた磁性体薄膜とを有する磁気光学体において、前記2種類の誘電体薄膜は、一方の誘電体薄膜の光屈折率の値が、他方の誘電体薄膜の光屈折率の値と異なることを特徴とする磁気光学体。
IPC (2件)：
G02B 27/28 ,  G02F 1/09 505
FI (2件)：
G02B 27/28 A ,  G02F 1/09 505
Fターム (9件)：
2H079AA03 ,  2H079BA02 ,  2H079CA04 ,  2H079DA13 ,  2H079EA28 ,  2H079HA11 ,  2H099AA01 ,  2H099BA02 ,  2H099CA11
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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