特許

J-GLOBAL ID：200903047403321186

磁気光学効果増大素子およびその製造方法

発明者： 阿部 正紀 ,  井上 光輝 ,  北本 仁孝
出願人/特許権者： 東京工業大学長
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-336613
公開番号（公開出願番号）：特開2000-162566
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 フェライトめっき法で高温加熱せずにフェライト膜を作製することにより、磁気光学効果増大率を向上させた磁気光学効果増大素子を提供する。【解決手段】 基板上に2種類の誘電体膜4,5,6,10,11,12を真空蒸着法またはスパッタ法により交互に積層して第1の誘電体多層反射膜1を作製し、該誘電体多層反射膜1上にフェライト膜3をフェライトめっき法により20°C以上100°C以下の温度で作製し、該フェライト膜3上に2種類の誘電体膜7,8,9,13,14,15を真空蒸着法またはスパッタ法により交互に積層して第2の誘電体多層反射膜2を作製することにより、ファブリペロー共鳴条件を満足させるように構成したサンドイッチ構造の磁気光学効果増大素子を製造する。

請求項（抜粋）：

第1および第2の誘電体多層反射膜間にフェライト膜を挟んでサンドイッチ構造とするとともに、ファブリペロー共鳴条件を満足させるように構成した磁気光学効果増大素子において、前記フェライト膜をフェライトめっき法により20°C以上100°C以下の温度で作製するようにしたことを特徴とする磁気光学効果増大素子。

IPC (7件)：

G02F 1/09 505 ,  G01R 33/032 ,  G02B 5/28 ,  G11B 11/10 501 ,  G11B 11/10 541 ,  H01F 10/20 ,  H01F 10/26

FI (7件)：

G02F 1/09 505 ,  G01R 33/032 ,  G02B 5/28 ,  G11B 11/10 501 Z ,  G11B 11/10 541 B ,  H01F 10/20 ,  H01F 10/26

Fターム (31件)：

2G017AA01 ,  2G017AD11 ,  2G017AD14 ,  2H048GA07 ,  2H048GA13 ,  2H048GA33 ,  2H048GA48 ,  2H048GA51 ,  2H079AA03 ,  2H079AA13 ,  2H079BA02 ,  2H079CA06 ,  2H079CA08 ,  2H079DA12 ,  2H079EA12 ,  2H079HA16 ,  2H079KA14 ,  2H079KA20 ,  5D075EE03 ,  5D075FF07 ,  5D075GG01 ,  5D075GG02 ,  5D075GG03 ,  5D075GG16 ,  5E049AB04 ,  5E049AB09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049BA22 ,  5E049DB04 ,  5E049DB14