特許
J-GLOBAL ID:200903017125121174
太陽電池の製造方法および太陽電池
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
山崎 宏
, 前田 厚司
, 仲倉 幸典
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-012789
公開番号(公開出願番号):特開2006-148155
出願日: 2006年01月20日
公開日(公表日): 2006年06月08日
要約:
【課題】工程数が少なく簡単なプロセスで作製でき、しかも高い短絡電流を得ることができる太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】p型シリコン結晶基板1の表面1aに、凹凸22a,22bを形成する。所定温度に加熱された基板1の表面1aに、チタン化合物とリン化合物とをガス状態で供給して、上記チタン化合物とリン化合物との反応物からなるリンを含む酸化チタン膜2を形成する。基板1を所定の温度で熱処理して、膜2からリンを拡散してpn接合を形成するとともに、膜2からなる反射防止膜を形成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
p型シリコン結晶基板の表面に、所定の高低差の凹凸を形成する工程と、
上記凹凸を形成した上記基板の表面に、リンを含む酸化チタン膜を形成する工程と、
上記基板を所定の温度で熱処理して、上記基板の表面側部分に上記リンを含む酸化チタン膜からリンを拡散してpn接合を形成するとともに、上記リンを含む酸化チタン膜からなる反射防止膜を形成する工程とを有し、
上記リンを含む酸化チタン膜を形成する工程では、所定温度に加熱された基板の表面に、チタン化合物とリン化合物とをガス状態で供給して、上記基板の表面に、上記チタン化合物とリン化合物との反応物からなるリンを含む酸化チタン膜を形成するようにしたことを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (8件):
5F051AA02
, 5F051BA16
, 5F051CB20
, 5F051DA03
, 5F051FA10
, 5F051GA04
, 5F051GA15
, 5F051HA03
引用特許:
出願人引用 (3件)
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特開昭54-76629号公報
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特開昭56-60075号公報
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特開昭60-113915号公報
審査官引用 (10件)
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