特許
J-GLOBAL ID：200903017127821084
ZnSe単結晶の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-099894
公開番号（公開出願番号）：特開平9-286696
出願日： 1996年04月22日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：
【要約】【課題】 ヨウ素化学輸送法で、成長速度を大きくしても単結晶の成長を可能にするZnSe単結晶の成長方法を提供しようとするものである。【解決手段】 ヨウ素を輸送媒体とする化学輸送法によりZnSe単結晶を成長する方法において、種結晶として、ZnSe単結晶の(111)B面を使用し、テーパ角35°以下の円錐形のキャップを、その中心軸が種結晶表面に対して垂直にし、キャップの先端の全周が種結晶表面に近接又は接触するように配置し、キャップの内側に露出した種結晶表面にZnSe結晶を成長させる方法である。
請求項（抜粋）：
ヨウ素を輸送媒体とする化学輸送法によりZnSe単結晶を成長する方法において、種結晶として、ZnSe単結晶の(111)B面を使用し、テーパ角35°以下の円錐形のキャップを、その中心軸が種結晶表面に対して垂直に、かつ、該キャップの先端の全周が種結晶表面に近接又は接触するように配置し、該キャップの内側に露出した種結晶表面にZnSe結晶を成長させることを特徴とするZnSe単結晶の成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (2件)
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特開昭62-283897
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単結晶の成長方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-199710
出願人：住友電気工業株式会社
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