特許

J-GLOBAL ID：200903017129270263

レーザリペア方法および装置

発明者： 森重 幸雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-017683
公開番号（公開出願番号）：特開2001-207267
出願日： 2000年01月26日
公開日（公表日）： 2001年07月31日
要約：

【要約】【課題】フォトマスクの欠損欠陥、残留欠陥を修正するレーザリペア方法では、それぞれ大面積の均一な成膜が困難であり、またレーザ蒸散時に発生するCrが微粒子となり基板上に再付着すること大きな問題となっている。【解決手段】CVDガスの流れを基板上方から基板面へ垂直に降下する流れとする。具体的にはCVDガスを基板面に平行に導入し、基板面へ垂直に下降するパージガスに混入させる。また、専用のザップガス導入ノズルから基板面に所定の傾きで所定量以上供給し、微粒子が基板面に付着することを防止する。

請求項（抜粋）：

CVD原料ガスを基板面へ供給し、レーザ光を該基板面上の所定部に照射し、基板上の欠陥を修正するレーザリペア方法であって、CVD原料ガスを基板面の直上から基板面へ導入することを特徴とするレーザリペア方法。

IPC (2件)：

C23C 16/48 ,  G03F 1/08

FI (2件)：

C23C 16/48 ,  G03F 1/08 W

Fターム (8件)：

2H095BD34 ,  4K030BB14 ,  4K030DA08 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA07 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• レーザCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-150134   出願人：日本電気株式会社