特許

J-GLOBAL ID：200903017168785351

誘電体キャパシタおよびその製造方法

発明者： 広中 克行 ,  磯辺 千春 ,  御手洗 俊
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-308501
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115545
出願日： 2001年10月04日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】 従来、誘電体キャパシタは、Al2O3膜で被覆すると水素バリア性が改善されることが知られている。Al2O3膜は、スパッタ法やMOCVD法により成膜できるが、スパッタ法を採用した場合、誘電体キャパシタのアスペクト比が高くなるとステップカヴァレッジに問題が生じて側壁部の膜厚が薄くなり、水素バリア性が悪化するという問題点がある。また、誘電体キャパシタに直接Al2O3膜を成膜しようとすると、膜剥がれが起きるという問題点もある。【解決手段】 Si基板上に下部電極2と、誘電体層3と、上部電極4とを順次積層して誘電体キャパシタを得、さらにこの誘電体キャパシタを、Ta2O5、Y2O3、CeO2またはHfO2の絶縁膜5で被覆し、さらに絶縁膜5をAl2O3膜6で被覆した。

請求項（抜粋）：

基板上に下部電極と、前記下部電極上の誘電体層と、前記誘電体層上の上部電極とを有してなる誘電体キャパシタにおいて、前記誘電体キャパシタが、Ta2O5、Y2O3、CeO2およびHfO2からなる群から選択された少なくとも1種の絶縁膜で被覆され、かつ前記絶縁膜がAl2O3膜でさらに被覆されている、ことを特徴とする誘電体キャパシタ。

IPC (3件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/105

FI (2件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 27/10 444 C

Fターム (15件)：

5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038AC20 ,  5F038EZ20 ,  5F083FR01 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083NA08 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (2件)

• キャパシタ保護膜を含む半導体メモリ素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-270446   出願人：三星電子株式会社
• 誘電体キャパシタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-288690   出願人：ソニー株式会社