特許

J-GLOBAL ID：200903017176906117

ガラスセラミック焼結体の製造方法および配線基板の製造方法

発明者： 浜田 紀彰 ,  山口 浩一 ,  米倉 秀人 ,  東 昌彦 ,  民 保秀 ,  古久保 洋二
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311008
公開番号（公開出願番号）：特開平9-142879
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月03日
要約：

【要約】【課題】従来ガラスセラミック焼結体は、Cu等との同時焼成を行うため多量のガラスを必要とするため高価であり、しかも強度が低かった。【解決手段】屈伏点が400°C〜770°C、平均粒径が1.5〜8μmのガラス粉末20〜80体積%と、フィラー粉末80〜20体積%との混合粉末を所定形状に成形した後、該成形体を800〜1050°Cの温度で焼成し、配線基板は、屈伏点が400°C〜770°Cで、平均粒径が1.5〜8μmの範囲にあるガラス粉末20〜80体積%と、フィラー粉末80〜20体積%との混合粉末をシート状に成形し、シート状成形体の表面にメタライズペーストを塗布し、ペーストが塗布された成形体を800〜1050°Cの温度で同時焼成して作製する。特にメタライズペーストがCuを含有する場合は、850〜1050°Cで同時焼成する。

請求項（抜粋）：

屈伏点が400°C〜770°C、平均粒径が1.5〜8μmのガラス粉末20〜80体積%と、フィラー粉末80〜20体積%との混合粉末を所定形状に成形した後、該成形体を800〜1050°Cの温度で焼成することを特徴とするガラスセラミック焼結体の製造方法。

IPC (3件)：

C03C 10/00 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/12

FI (3件)：

C03C 10/00 ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 3/12 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 低温焼成ガラスセラミック基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-036204   出願人：住友金属鉱山株式会社