特許
J-GLOBAL ID：200903017184769684

フェライト磁心およびこれを用いた電子部品

発明者：
橘 武司

橘 武司 について

, 
田中 智

田中 智 について

, 
福田 毅

福田 毅 について


出願人/特許権者：
日立金属株式会社

日立金属株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-185868
公開番号（公開出願番号）：特開2008-016619
出願日： 2006年07月05日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：
【課題】 直流重畳特性に優れ、応力に対する磁気特性、特には透磁率の変化が少なく、安定したインダクタンスが得られるフェライト磁心およびこれを用いた電子部品を提供する。【解決手段】 Fe2O3、NiO(一部をCuOで置換しても良い)、ZnOを主成分とするフェライトの第1相と非磁性のセラミクスからなる第2相を含む複合磁性体を用いたフェライト磁心であって、主成分に対して非磁性のセラミクスを2.5〜25wt%含み、フェライト平均結晶粒径が0.3〜2μmであり、非磁性のセラミクスの線膨張係数は、フェライトの線膨張係数よりも小さく、複合磁性体の線膨張係数が6〜10ppm/°Cとした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Fe2O3、NiO(一部をCuOで置換しても良い)、ZnOを主成分とするフェライトの第1相と非磁性のセラミクスからなる第2相を含む複合磁性体を用いたフェライト磁心であって、 前記主成分に対して非磁性のセラミクスを2.5〜25wt%含み、フェライト平均結晶粒径が0.3〜2μmであり、前記非磁性のセラミクスの線膨張係数は、前記フェライトの線膨張係数よりも小さく、もって複合磁性体の線膨張係数が6〜10ppm/°Cであることを特徴とするフェライト磁心。
IPC (2件)：
H01F 27/255 ,  H01F 1/34
FI (2件)：
H01F27/24 D ,  H01F1/34 A
Fターム (4件)：
5E041AB01 ,  5E041BD01 ,  5E041CA03 ,  5E041NN02
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • Ni-Zn系フェライト
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-307388   出願人：住友特殊金属株式会社
  • フェライト焼結体
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-387952   出願人：FDK株式会社
  • チップ部品用磁性材料
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-297536   出願人：日立フェライト株式会社
審査官引用 (5件)
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