半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-351871
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201967
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】フィールドシールドによる素子分離領域の幅を低減する。【構成】多結晶シリコン膜3の側壁のシリコン酸化膜4′を、シリコン窒化膜5を耐酸化膜として多結晶シリコン膜3の側面を熱酸化することにより形成し、多結晶シリコン膜3からなるフィールドシールド電極の幅を微細加工限界以下にする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の素子分離領域の上に絶縁膜を介して導電膜を設け、この導電膜の電位を固定することにより、上記素子分離領域における上記半導体基板の表面電位を固定するようにした半導体装置の製造方法において、上記半導体基板の上に上記絶縁膜を介して多結晶またはアモルファスシリコン膜及びシリコン窒化膜を順次形成する工程と、上記素子分離領域以外の上記シリコン窒化膜及び上記多結晶またはアモルファスシリコン膜をそれぞれ除去する工程と、しかる後、上記シリコン窒化膜をマスクとして上記多結晶またはアモルファスシリコン膜の側面を熱酸化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭57-036842
特開平2-015651
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-342696 出願人：沖電気工業株式会社

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