特許

J-GLOBAL ID：200903017200178608

抵抗体付き配線基板の製造方法

発明者： 井上 友喜
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-304334
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133506
出願日： 1998年10月26日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】薄膜抵抗体をトリミングする際、絶縁基体表面にアルミニウムが析出し隣接する薄膜配線層間に電気的な短絡等が発生する。【解決手段】窒化アルミニウム質焼結体から成る基体1表面に酸化物膜4を形成し、次に前記酸化物膜4上に薄膜形成技術によって薄膜配線層2と薄膜抵抗体3とを被着させ、最後に前記薄膜抵抗体3にレーザー光線を照射し、薄膜抵抗体3の電気抵抗値が所定の値となるようにトリミングすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウム質焼結体から成る絶縁基体表面に酸化物膜を形成し、次に前記酸化物膜上に薄膜形成技術によって薄膜配線層と薄膜抵抗体とを被着させ、最後に前記薄膜抵抗体にレーザー光線を照射し、薄膜抵抗体の電気抵抗値が所定の値となるようにトリミングすることを特徴とする抵抗体付き配線基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01C 17/242 ,  H01C 17/06 ,  H05K 1/16 ,  H05K 3/08

FI (4件)：

H01C 17/24 L ,  H01C 17/06 A ,  H05K 1/16 C ,  H05K 3/08 D

Fターム (31件)：

4E351AA09 ,  4E351BB01 ,  4E351BB05 ,  4E351BB32 ,  4E351CC01 ,  4E351CC05 ,  4E351CC12 ,  4E351CC22 ,  4E351DD31 ,  4E351FF04 ,  4E351FF18 ,  4E351GG04 ,  4E351GG07 ,  4E351GG09 ,  5E032AB01 ,  5E032BA11 ,  5E032BB01 ,  5E032BB13 ,  5E032CC14 ,  5E032CC18 ,  5E032TA11 ,  5E032TB02 ,  5E339AB06 ,  5E339AB07 ,  5E339AD01 ,  5E339BC05 ,  5E339BD05 ,  5E339BE05 ,  5E339DD03 ,  5E339EE10 ,  5E339GG01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-212492
  
• 特開平4-127559
  
• セラミックス回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-143918   出願人：株式会社東芝