特許

J-GLOBAL ID：200903017220352639

半導体装置及びその製造方法

発明者： 滝川 正彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-065673
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261653
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】 高電圧動作による高出力化が容易な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 GaAs基板10と、GaAs基板10上に形成され、InGaPよりもバンドギャップが広い半導体層よりなるバッファ層12と、バッファ層12上に形成されたInGaP層よりなるチャネル層14と、チャネル層14の電流を制御するゲート電極34とにより半導体装置を構成する。

請求項（抜粋）：

GaAs基板と、前記GaAs基板上に形成され、InGaPよりもバンドギャップが広い半導体層よりなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成されたInGaP層よりなるチャネル層と、前記チャネル層の電流を制御するゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電界効果型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-005085   出願人：松下電子工業株式会社