特許
J-GLOBAL ID：200903017220435526

半導体装置の製造方法及び半導体製造装置用金型

発明者：
西沢 直樹

西沢 直樹 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-135368
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326800
出願日： 1997年05月26日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】プラスチックパッケージ、特にBGA等の基板片面樹脂封止したパッケージの熱収縮率の差により生じるパッケージ反りを防止すること。【解決手段】樹脂封止時に基板をあらかじめパッケージ反りが生じる方向と逆方向に反らせておく。金型1(第1金型)には樹脂を封入するためのくぼみ3(キャビティー)と、キャビティー3に通じる樹脂の流動路4(ランナー)が設けられている。ここで、金型2(第2金型)には凸形状5が設けられており、凸形状の位置は金型1,2を重ね合わせたとき、その中心が金型1のキャビティー3の中心にくるようにしてある。半導体6を搭載した基板7は半導体6がキャビティー3のセンターにくるように半導体6を下向きして金型1にセットされる。これにより、基板7は金型2に設けた凸形状5によって湾曲した状態となり、そこにランナー4を通じて樹脂8がキャビティー3の内部に充填される。
請求項（抜粋）：
回路基板の一方の面側は外部端子が形成され、前記回路基板の他方の面側には半導体チップが搭載され、前記半導体チップがプラスチック樹脂にて封止される半導体装置の製造方法であって、前記プラスチック樹脂にて前記半導体チップを封止する工程において、前記半導体チップを搭載した基板を湾曲させた状態にて封止を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/56 ,  B29C 33/42 ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/26 ,  B29L 31:34
FI (4件)：
H01L 21/56 T ,  B29C 33/42 ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/26
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-305036   出願人：日東電工株式会社
  • 特開昭56-098833
  • 特開昭57-024542

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