特許
J-GLOBAL ID：200903017238934856
高周波モジュール装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-136490
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334806
出願日： 2001年05月07日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：
【要約】【課題】 インダクタ素子のさらなる特性向上を可能とすると共に、さらなる小型化及び低コスト化を可能とする。【解決手段】 パターン配線層6a,6b,9a,9bと誘電絶縁層5,8,11とが多層に形成されてなるベース基板部2と、ベース基板部2の最上層が平坦化されることによりビルドアップ形成面が形成され、このビルドアップ形成面上に絶縁層19を介してインダクタ素子20が形成されてなる高周波素子部4とを備え、ベース基板部2のパターン配線層6a,6b,9a,9bが形成されていない領域30が、少なくともベース基板部2の最上層から厚み方向の中途部に亘って設けられており、この領域30の直上に位置する高周波素子部4に、インダクタ素子20が形成されている。
請求項（抜粋）：
パターン配線層と誘電絶縁層とが多層に形成されてなるベース基板部と、上記ベース基板部の最上層が平坦化されることによりビルドアップ形成面が形成され、このビルドアップ形成面上に絶縁層を介してインダクタ素子が形成されてなる高周波素子部とを備え、上記ベース基板部の上記パターン配線層が形成されていない領域が、少なくとも上記ベース基板部の最上層から厚み方向の中途部に亘って設けられており、この領域の直上に位置する高周波素子部に、上記インダクタ素子が形成されていることを特徴とする高周波モジュール装置。
IPC (4件)：
H01F 17/00
, H01F 27/00
, H05K 1/16
, H05K 3/46
H01F 17/00 B
, H05K 1/16 B
, H05K 3/46 L
, H05K 3/46 Q
, H01F 15/00 D
4E351AA01
, 4E351BB15
, 4E351BB24
, 4E351BB31
, 4E351BB32
, 4E351CC11
, 4E351DD01
, 4E351GG01
, 4E351GG06
, 5E070AA05
, 5E070AB07
, 5E346AA04
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA26
, 5E346AA43
, 5E346BB02
, 5E346BB11
, 5E346BB20
, 5E346CC01
, 5E346CC31
, 5E346DD03
, 5E346DD31
, 5E346EE31
, 5E346FF45
, 5E346HH01
, 5E346HH22
