特許
J-GLOBAL ID：200903096465053871
集積回路装置及びその製造方法、並びに回路基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-189937
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077315
出願日： 2000年06月23日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 同一の半導体基板に能動素子と受動素子が形成された集積回路装置において、寄生容量及び寄生抵抗を十分に低減することができ、しかも十分な強度を得ることを可能にする。【解決手段】 半導体基板11の同一面側に能動素子15と受動素子14が形成された集積回路装置であって、受動素子14は、半導体基板11の素子形成面側の深さ20μm以上の溝に絶縁物13が充填された絶縁領域上に形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板の同一面側に能動素子と受動素子が形成された集積回路装置であって、前記受動素子は前記半導体基板の素子形成面側の深さ20μm以上の溝に絶縁物が充填された絶縁領域上に形成されていることを特徴とする集積回路装置。
IPC (4件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01F 17/00
, H01F 41/04
H01L 27/04 L
, H01F 17/00 B
, H01F 41/04 C
