特許
J-GLOBAL ID：200903017246274920
半導体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-086117
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274090
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、歪Si結晶等を作製するための緩和バッファ層の構造並びに、製造方法に関する【解決手段】 SiGeC結晶を堆積したSi基板を熱アニールすることで、SiGeC結晶を緩和させると同時に、SiC微結晶を析出させて欠陥密度を低減し、薄くても欠陥の少ない緩和バッファ層を製造する。
請求項（抜粋）：
シリコン結晶基板と、前記シリコン結晶基板上に形成された前記シリコン結晶基板より大きな格子定数をもつ結晶層とを具備し、前記結晶層の少なくとも一部が、炭化珪素結晶を含有するシリコンとゲルマニウムと炭素からなる結晶であることを特徴とする半導体基板。
Fターム (12件)：
5F045AA07
, 5F045AB01
, 5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AF03
, 5F045BB12
, 5F045CB02
, 5F045DA53
, 5F045HA16
