特許
J-GLOBAL ID:200903017260423113
半導体集積回路装置の動作解析方法、これに用いられる解析装置およびこれを用いた最適化設計方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-164036
公開番号(公開出願番号):特開2005-004268
出願日: 2003年06月09日
公開日(公表日): 2005年01月06日
要約:
【課題】動的な電圧降下を考慮し、高精度でかつ動作特性の良好な半導体集積回路を提供する。【解決手段】回路情報1001に基づいて、前記半導体集積回路の各インスタンスの電源端子での電圧波形を求め、前記インスタンス毎の電圧波形を解析して電圧波形情報を形成する工程と前記電圧波形情報1031を抽象化し、電圧抽象化情報1033を形成する工程と、前記電圧抽象化情報1033に基づいて前記インスタンスについて遅延値を算出する工程1005とを含む。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体集積回路装置の回路情報に基づいて、
前記半導体集積回路の各インスタンスの電源端子での電圧波形を求め、
前記インスタンス毎の電圧波形を解析して電圧波形情報を形成する工程と
前記電圧波形情報を抽象化し、電圧抽象化情報を形成する工程と、
前記電圧抽象化情報に基づいて前記インスタンスについて遅延値を算出する工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の動作解析方法。
IPC (3件):
G06F17/50
, H01L21/82
, H03K19/00
FI (5件):
G06F17/50 668M
, H03K19/00 D
, H01L21/82 T
, H01L21/82 C
, H01L21/82 W
Fターム (21件):
5B046AA08
, 5B046BA04
, 5B046JA01
, 5B046KA06
, 5F064BB19
, 5F064BB28
, 5F064EE42
, 5F064EE47
, 5F064HH06
, 5F064HH09
, 5F064HH12
, 5J056AA03
, 5J056BB00
, 5J056BB40
, 5J056CC00
, 5J056CC14
, 5J056FF01
, 5J056HH03
, 5J056KK00
, 5J056KK01
, 5J056KK02
引用特許:
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