特許

J-GLOBAL ID：200903017262693916

強誘電体薄膜と基体との複合構造体およびその製造方法

発明者： 谷本 智 ,  垂井 康夫
出願人/特許権者： 垂井 康夫 ,  日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-322206
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181289
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】良好な強誘電体および良好なSi活性層を同時に満足する複合構造体およびその製造方法を提供する。【構成】複合体の構造として、配向制御層4と相互拡散防止層3の少なくとも何れか一方と熱酸化SiO2層2とからなる複合中間膜を強誘電体膜5とSi基板1との間に挟持する構造。

請求項（抜粋）：

Siを含有する半導体基体あるいはSiを含有する半導体薄膜で表面を覆われた基体上に強誘電体薄膜を載置した複合構造体において、前記強誘電体薄膜と前記基体との間に、配向制御層と相互拡散防止層の少なくとも一方と、熱酸化SiO2層とからなる複合層を挟持したことを特徴とする強誘電体薄膜と基体との複合構造体。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 441 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-161635
  
• 特開平2-248089
  
• 強誘電体記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-237585   出願人：シャープ株式会社