特許

J-GLOBAL ID：200903068684452354

強誘電体記憶素子

発明者： 荻本 泰史
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-237585
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102528
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：

【要約】【目的】 強誘電体キャパシタ部分にかかる実効的な電圧において、強誘電体膜の分極反転を行い半導体表面の伝導度を変調するに十分な値を確保でき、かつ、LSIとして要求される低駆動電圧に対応することを可能とするFET構造の強誘電体記憶素子を提供する。【構成】 電界効果型の強誘電体記憶素子において、LMnO3 (但し、LはY、Er、Ho、Tm、Yb、Luからなる群から選択された元素)で表される低誘電率の強誘電体膜を形成する。

請求項（抜粋）：

Si(100)単結晶基板と、基板表層部に形成されたソースおよびドレインと、ソース-ドレイン間にまたがるように形成された酸化シリコン絶縁膜上に、フローティングゲート電極、強誘電体膜、ゲート電極が順次形成された積層ゲート構造からなる強誘電体記憶素子において、強誘電体が、LMnO3 薄膜(LはY、Er、Ho、Tm、Yb、Luからなる群から選択された元素である。)であることを特徴とする強誘電体記憶素子。

IPC (8件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-247715   出願人：ローム株式会社
• 特開昭58-046680
  
• 強誘電体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-205874   出願人：ローム株式会社