特許

J-GLOBAL ID：200903017284578223

プラズマを用いて基板を処理する装置、プラズマを供給する方法及びプラズマを供給して基板を処理する方法

発明者： イ チャンウォン
出願人/特許権者： ピーエスケー・インコーポレーテッド
代理人 (2件)： 田中 康継 ,  竹尾 由重
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-277565
公開番号（公開出願番号）：特開2008-113001
出願日： 2007年10月25日
公開日（公表日）： 2008年05月15日
要約：

【課題】プラズマを用いて基板を処理する装置、プラズマを供給する方法及びプラズマを供給して基板を処理する方法を提供する。【解決手段】基板の上部に酸素プラズマを1次的に供給してフォトレジストを1次的に除去した後、酸素プラズマ及びフッ素系のプラズマを2次的に供給して、フォトレジスト及び残留物質を2次的に除去する。この時、酸素プラズマは別途の放電装置により直接放電するが、フッ素系のプラズマは、基板に供給される酸素プラズマの流路上にフッ素系のソースガスを供給して、酸素プラズマにより間接的に生成される。プラズマは、多数の貫通孔が形成されたバッフルを介して基板上に供給され、プラズマ内に含まれたイオンは接地されたバッフルによりフィルタリングされる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

放電空間に第1ソースガスを供給し、供給された第1ソースガスを放電させて、第1プラズマを生成する第1生成部と、 第2ソースガスを前記第1プラズマの流路上に供給し、前記第1プラズマを用いて前記第2ソースガスを放電させて、第2プラズマを生成する第2生成部と、 前記第1及び第2プラズマが供給され、前記第1及び第2プラズマを用いて処理される被処理基板がローディングされる工程チェンバとを含むことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L21/302 101D ,  H01L21/30 572A

Fターム (12件)：

5F004BA03 ,  5F004BB14 ,  5F004BD01 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004EA28 ,  5F046MA12 ,  5F046MA17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ダウンフローエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-275729   出願人：富士通株式会社
• 特開昭58-087825
  
• 特開昭58-087825