特許
J-GLOBAL ID:200903017286739038

電気化学デバイス及び電気化学デバイスの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 小野 新次郎 ,  社本 一夫 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  相馬 貴昌
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-558644
公開番号(公開出願番号):特表2009-529771
出願日: 2006年03月14日
公開日(公表日): 2009年08月20日
要約:
本発明は、少なくとも1つの電子伝導性材料及び少なくとも1つのイオン伝導性材料を含む少なくとも1個の多孔質支持電極であって、前記イオン伝導性材料は、800°Cで、0.005S/cm-1又はそれを上回り、好ましくは0.01S/cm-1〜0.1S/cm-1のイオン伝導率を有し、前記少なくとも1個の多孔質支持電極は厚さ200μm以上、好ましくは500μm〜2mmを有する、多孔質支持電極;相対密度90%以上、好ましくは95%〜100%及び厚さ50μm以下、好ましくは5μm〜30μmを有する少なくとも1個の電解質膜;及び少なくとも1個の多孔質対電極を含む電気化学デバイスを含む電気化学デバイスに関する。
請求項(抜粋):
少なくとも1つの電子伝導性材料及び少なくとも1つのイオン伝導性材料を含む少なくとも1個の多孔質支持電極であって、前記イオン伝導性材料は、800°Cで0.005S/cm-1以上のイオン伝導率を有し、前記少なくとも1個の多孔質支持電極の厚さが200μm以上である、少なくとも1個の多孔質支持電極、 相対密度が90%以上であり且つ厚さが50μm以下である、少なくとも1個の電解質膜、及び 少なくとも1個の多孔質対電極 を含む電気化学デバイス。
IPC (3件):
H01M 4/86 ,  H01M 8/12 ,  H01M 8/02
FI (4件):
H01M4/86 T ,  H01M8/12 ,  H01M8/02 K ,  H01M8/02 E
Fターム (37件):
5H018AA06 ,  5H018AS01 ,  5H018BB01 ,  5H018BB03 ,  5H018BB05 ,  5H018BB06 ,  5H018BB08 ,  5H018BB11 ,  5H018BB12 ,  5H018DD08 ,  5H018EE04 ,  5H018EE10 ,  5H018EE12 ,  5H018EE13 ,  5H018HH03 ,  5H018HH04 ,  5H018HH05 ,  5H018HH06 ,  5H018HH08 ,  5H018HH09 ,  5H018HH10 ,  5H026AA06 ,  5H026BB01 ,  5H026BB02 ,  5H026BB03 ,  5H026BB04 ,  5H026BB08 ,  5H026CX04 ,  5H026EE12 ,  5H026EE13 ,  5H026HH03 ,  5H026HH04 ,  5H026HH05 ,  5H026HH06 ,  5H026HH08 ,  5H026HH09 ,  5H026HH10
引用特許:
審査官引用 (3件)

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