特許
J-GLOBAL ID:200903017299096756
ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
深見 久郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-021208
公開番号(公開出願番号):特開2003-223813
出願日: 2002年01月30日
公開日(公表日): 2003年08月08日
要約:
【要約】【課題】 p型シリコン半導体基板を薄くした場合でも、塗布量を減らさないで、所望のBSF効果を十分達成することができ、かつ焼成後のp型シリコン半導体基板の変形を抑制することが可能なペースト組成物と、その組成物を用いて形成された不純物層または電極層を備えた太陽電池を提供することである。【解決手段】 ペースト組成物は、p型シリコン半導体基板1の上に不純物層または電極層を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、熱膨張率がアルミニウムよりも小さく、かつ、溶融温度、軟化温度および分解温度のいずれかがアルミニウムの融点よりも高い無機化合物粉末とを含む。太陽電池は、上述の特徴を有するペースト組成物をp型シリコン半導体基板1の上に塗布した後、焼成することにより形成したp+層7、Al-Si合金層6、および/または、裏面電極層5を備える。
請求項(抜粋):
p型シリコン半導体基板の上に不純物層または電極層を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、熱膨張率がアルミニウムよりも小さく、かつ、溶融温度、軟化温度および分解温度のいずれかがアルミニウムの融点よりも高い無機化合物粉末とを含む、ペースト組成物。
IPC (2件):
FI (2件):
H01B 1/22 A
, H01L 31/04 H
Fターム (11件):
5F051AA01
, 5F051CB13
, 5F051CB27
, 5F051DA03
, 5F051FA15
, 5F051GA04
, 5G301DA04
, 5G301DA32
, 5G301DA33
, 5G301DA34
, 5G301DD01
引用特許:
出願人引用 (2件)
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厚膜導電性ペースト組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-220902
出願人:第一工業製薬株式会社, 同和鉱業株式会社
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太陽電池用ペースト材料
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-130857
出願人:京セラ株式会社
審査官引用 (2件)
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太陽電池用ペースト材料
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-130857
出願人:京セラ株式会社
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厚膜導電性ペースト組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-220902
出願人:第一工業製薬株式会社, 同和鉱業株式会社
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