特許

J-GLOBAL ID：200903017307385479

光センサおよびそれを備えたフォトIC

発明者： 河合 泰明
出願人/特許権者： OKIセミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 金倉 喬二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-006312
公開番号（公開出願番号）：特開2009-170615
出願日： 2008年01月15日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：

【課題】SOI構造の半導体基板に、紫外線感光素子と可視光感光素子とを形成して、1チップ化された小型の光センサを提供する。【解決手段】シリコン基板と、シリコン基板上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成されたシリコン半導体層とを有する半導体基板に形成された光センサであって、シリコン半導体層に形成された紫外線感光素子と、シリコン基板に形成された可視光感光素子とを備える。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成されたシリコン半導体層とを有する半導体基板に形成された光センサであって、 前記シリコン半導体層に形成された紫外線感光素子と、前記シリコン基板に形成された可視光感光素子とを備えたことを特徴とする光センサ。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/146

FI (3件)：

H01L31/10 A ,  H01L29/78 613Z ,  H01L27/14 A

Fターム (55件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA06 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118EA16 ,  4M118FA25 ,  4M118GA10 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA19 ,  5F049PA07 ,  5F049PA09 ,  5F049PA10 ,  5F049PA14 ,  5F049RA03 ,  5F049SS03 ,  5F049UA04 ,  5F049WA03 ,  5F049WA05 ,  5F110AA30 ,  5F110BB09 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN62 ,  5F110NN71

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平2-240527号公報(第2頁-第4頁、第1図、第4図)
  
• 半導体紫外線センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-309363   出願人：浜松ホトニクス株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-331630   出願人：株式会社デンソー
• 特開平1-309387
  
• 半導体紫外線センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-309363   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 特開平1-309387