特許
J-GLOBAL ID：200903017320525360
半導体受光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-265506
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101130
出願日： 1998年09月18日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 新たな構成によって従来より優れた感度を有し、紫外域の波長の光に対しても優れた耐性を有するショットキー障壁型の半導体受光素子を提供すること。【解決手段】 n型またはp型のGaN系半導体層を受光層1とし、該受光層1の片側の面を受光面1aとし、該受光面1aにショットキー電極2を少なくとも設ける。受光面1aのうち、ショットキー電極に覆われている領域と、露出している領域との境界線の長さの合計を、受光面の外周よりも長くして、ショットキー電極の上面方向から照射される光Lを受光し得る構成とした、ショットキー障壁型のフォトダイオードである。
請求項（抜粋）：
ショットキー障壁型の半導体受光素子であって、第一導電型のGaN系半導体からなる層を受光層として有し、該受光層の片側の面を受光面とし、該受光面にはショットキー電極が少なくとも設けられ、該受光面のうち、ショットキー電極に覆われている領域と、露出している領域との境界線の長さの合計が、受光面の外周の長さよりも長いことを特徴とする半導体受光素子。
Fターム (11件)：
5F049MA05
, 5F049MB07
, 5F049NB07
, 5F049QA03
, 5F049QA18
, 5F049SE05
, 5F049SE09
, 5F049SS01
, 5F049SS03
, 5F049SS04
, 5F049WA05
