特許
J-GLOBAL ID：200903017332999597
ヘテロ・バイポーラ半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-216157
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044212
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 ヘテロ・バイポーラ半導体装置に関し、HBTに於けるベース層を構成する材料としてGaAsに格子整合する適切な材料を用い、しかも、ベース・エミッタ間電圧Vbeを充分に低下させることができるようにする。【解決手段】 GaAsに略格子整合するGaAsNSbからなる層を含んで構成されたp-GaAsNSbベース層6を備えてなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
GaAsに略格子整合するGaAsNSbからなる層を含むベース層を備えてなることを特徴とするヘテロ・バイポーラ半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
5F003BA92
, 5F003BB04
, 5F003BC04
, 5F003BF06
, 5F003BG06
, 5F003BM02
, 5F003BM03
, 5F003BP32
