特許

J-GLOBAL ID：200903017345748283

半導体デバイスの製造方法

発明者： 浜松 玲 ,  野口 稔
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (2件)： 作田 康夫 ,  井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-272690
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093172
出願日： 2004年09月21日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】 酸化膜などの透明膜が表層に形成された半導体デバイスの正常部において、ダイ間で画像の明るさが異なって検出された場合でも、欠陥を見逃すことなく、かつ誤検出を少なくして検査を行う。【解決手段】 半導体デバイスの製造工程の途中で、所定の工程で処理された基板の異物の発生状態を検査し、検査して得た情報を用いて製造工程を監視しながら半導体デバイスを製造する方法において、基板の異物の発生状態を、基板を撮像し、撮像して得た画像信号について画像信号の明るさの順を求め、求めた明るさの順ごとに隣接する画像同士を比較して差を求めることにより基板上の異物を検出するようにした。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの製造工程の途中で、所定の工程で処理された基板の異物の発生状態を検査し、該検査して得た情報を用いて前記製造工程を監視しながら半導体デバイスを製造する方法であって、前記基板の異物の発生状態を、前記基板を撮像し、該撮像して得た画像信号について該画像信号の明るさの順を求め、該求めた明るさの順ごとに隣接する画像同士を比較して差を求めることにより前記基板上の異物を検出することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/956 ,  G01R 31/302

FI (3件)：

H01L21/66 J ,  G01N21/956 A ,  G01R31/28 L

Fターム (31件)：

2G051AA51 ,  2G051AB01 ,  2G051AB02 ,  2G051BA20 ,  2G051BB05 ,  2G051CA03 ,  2G051CA04 ,  2G051CB05 ,  2G051CC07 ,  2G051DA07 ,  2G051DA08 ,  2G051EA08 ,  2G051EA14 ,  2G051EB01 ,  2G051EB02 ,  2G051EC03 ,  2G051ED07 ,  2G132AA00 ,  2G132AE16 ,  2G132AF14 ,  2G132AL12 ,  4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106CA41 ,  4M106DB02 ,  4M106DB04 ,  4M106DB07 ,  4M106DB12 ,  4M106DB19 ,  4M106DB20 ,  4M106DJ18

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭62-89336号公報
  
• 特開平1-117024号公報
  
• 微小欠陥検出方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-019489   出願人：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社
• 異物検査方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-072604   出願人：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社