特許
J-GLOBAL ID：200903017383415620
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊丹 勝
, 田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-320917
公開番号（公開出願番号）：特開2007-129086
出願日： 2005年11月04日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：
【課題】トレンチ絶縁膜を形成した半導体装置の耐圧を向上させる。 【課題手段】素子領域には、p型半導体ピラー層13とn型半導体ピラー層14とを交互に形成してなるピラー層15が形成される。この素子領域を囲う終端領域にトレンチ絶縁膜31が形成され、このトレンチ絶縁膜31の内側及び外側にも、p型半導体ピラー層13A及びn型半導体ピラー層14Aが記載されている。トレンチ絶縁膜31の第1辺31A、及び第2辺31Bとは、ピラー層13、14の長手方向と略45°で交わる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体層と、
第1導電型の第1半導体ピラー層と第2導電型の第2半導体ピラー層とを前記第1半導体層の表面に沿った第1の方向に交互にストライプ状に形成してなるピラー層と、
前記ピラー層上に形成される半導体素子と、
前記半導体素子が形成される素子領域と終端領域との境界に形成される終端トレンチと、
前記終端トレンチに埋め込まれ前記素子領域と前記終端領域とを絶縁分離するトレンチ絶縁膜と
を備え、
前記終端トレンチは、少なくとも交差する第1辺と第2辺とを備え、前記第1の方向が前記第1辺及び第2辺の間で鋭角をなすように形成された
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/76
, H01L 21/336
H01L29/78 652N
, H01L29/78 652H
, H01L29/78 652R
, H01L29/78 658E
, H01L29/78 658F
