特許
J-GLOBAL ID：200903017385073939
波長変換結晶の育成方法及びこの方法から作られた結晶
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-049666
公開番号（公開出願番号）：特開2000-247791
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月12日
要約：
【要約】【課題】 微小な散乱体が結晶に取込まれることがなく、入射光とSHG光の透過ロスを生ぜずに、結晶の損傷閾値を低下させない。【解決手段】 特定の位相整合方位に切出した種結晶10を用いて、波長変換結晶を育成する方法である。育成中相対湿度10%以下の乾燥ガスを融液21aに当るように育成炉20内に流す。波長変換結晶が四ほう酸リチウム単結晶であり、種結晶がc軸から74±5度だけ傾いた位相整合方位に切出されてチョクラルスキー法によりNd:YAGレーザの5倍波用波長変換結晶を育成する方法に適する。乾燥ガスが乾燥空気、乾燥アルゴン又は乾燥窒素である。
請求項（抜粋）：
特定の位相整合方位に切出した種結晶(10)を用いて、波長変換結晶を育成する方法において、前記結晶を育成中相対湿度10%以下の乾燥ガスを融液(21a)に当るように育成炉(20)内に流すことを特徴とする波長変換結晶の育成方法。
IPC (4件)：
C30B 29/22
, C30B 15/00
, C30B 15/36
, G02F 1/35 505
C30B 29/22 C
, C30B 15/00 Z
, C30B 15/36
, G02F 1/35 505
2K002AB12
, 2K002CA02
, 2K002FA11
, 2K002FA30
, 2K002HA20
, 2K002HA32
, 4G077AA02
, 4G077AB04
, 4G077BD07
, 4G077CF10
, 4G077EA06
, 4G077EA07
, 4G077ED02
, 4G077HA01
, 4G077PA03
, 4G077PJ02
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (3件)
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