特許

J-GLOBAL ID：200903017386175220

強誘電体薄膜の製造方法

発明者： 増田 義行 ,  荻本 泰史
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-297213
公開番号（公開出願番号）：特開平8-157260
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月18日
要約：

【要約】【目的】本発明は、飽和蒸気圧の高い成分を主組成とするPb系強誘電体薄膜に於ける膜中からその成分の蒸発、脱離による組成ずれや、リーク電流、電気的疲労特性を飛躍的に改善する強誘電体薄膜の製造方法を提供することによって、高信頼性のデバイスを実現可能とすることを目的としている。【構成】鉛系ペロフスカイト型強誘電体を構成する各元素の有機金属化合物又は無機塩を、有機酸溶媒中で加熱、撹拌したのち、前記の有機金属化合物又は無機塩を溶解することができる溶媒で希釈、調製した前駆体溶液を用いて強誘電体薄膜を作製することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

強誘電体薄膜の製造方法であって、以下の化学式で表される鉛系ペロブスカイト型強誘電体を構成する各元素の有機金属化合物又は無機塩を、有機酸溶媒中で加熱、撹拌したのち、前記の有機金属化合物又は無機塩を溶解することができる他の溶媒で希釈、調製した前駆体溶液を用いて強誘電体薄膜を作製することを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。(Pb1-yAy)(BxC1-x)O3ここで、1>y≧0、1>x>0、Aは、La又はErであり、B及びCは、Zr、Ti、Mg及びNbからなる群から選択された異なる元素である。

IPC (6件)：

C04B 35/49 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/78 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24

FI (6件)：

C04B 35/49 D ,  H01L 27/10 441 ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ペロブスカイト皮膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-241138   出願人：レイセオン・カンパニー
• 特表平4-506791
  
• チタン酸ジルコン酸鉛の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-181348   出願人：土谷敏雄, アルプス電気株式会社
• 特開昭64-054785