特許
J-GLOBAL ID：200903017440047721

半導体装置の基質としてのガラス積層体の使用

発明者：
タホン,ジヤン-ピエール

タホン,ジヤン-ピエール について

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ベルリンデン,バーソロミユーズ

ベルリンデン,バーソロミユーズ について

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ゴーデウエーク,ルデイ

ゴーデウエーク,ルデイ について


出願人/特許権者：
アグフア-ゲヴエルト・ナームローゼ・フエンノートシヤツプ

アグフア-ゲヴエルト・ナームローゼ・フエンノートシヤツプ について


代理人 (1件)： 小田島 平吉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-517842
公開番号（公開出願番号）：特表2001-520951
出願日： 1998年10月07日
公開日（公表日）： 2001年11月06日
要約：
【要約】基質上に機能層を被覆する工程を含む半導体装置の製造法において、該基質は支持材とガラス層とを含む積層体であり、該ガラス層は700μmよりも薄いことを特徴とする方法が記載されている。支持材はプラスティックスの箔であることが好ましい。積層体は軽量であることと高強度であることが組み合わされ、従って液晶ディスプレー、プラズマ・ディスプレー、フィールド・エミッション・ディスプレーまたは有機性発光ポリマー・ディスプレーのようなフラットパネル・ディスプレーを製造するのに適した基質である。機能層の好適な例は例えば電気伝導層、液晶配向層、カラー・フィルター、エレクトロリュミネッセンス層、不動態化層および燐の層である。
請求項（抜粋）：
基質上に機能層を被覆する工程を含む半導体装置の製造法において、該基質は支持体とガラス層を具備する積層体であり、該ガラス層の厚さは700μmよりも薄いことを特徴とする方法。
IPC (3件)：
B32B 17/10 ,  G02F 1/1337 ,  G03C 1/91
FI (3件)：
B32B 17/10 ,  G02F 1/1337 ,  G03C 1/91
Fターム (26件)：
2H023FA01 ,  2H090HB08Y ,  2H090JB02 ,  2H090LA01 ,  4F100AA02J ,  4F100AA36C ,  4F100AG00A ,  4F100AK02B ,  4F100AK42B ,  4F100AK45B ,  4F100AK54B ,  4F100AK55B ,  4F100AR00C ,  4F100AT00B ,  4F100BA03 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100GB41 ,  4F100JA11C ,  4F100JA20A ,  4F100JG01C ,  4F100JG05C ,  4F100JK01 ,  4F100JL03 ,  4F100YY00A
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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