半導体装置の基質としてのガラス積層体の使用

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小田島平吉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-517842
公開番号（公開出願番号）：特表2001-520951
出願日： 1998年10月07日
公開日（公表日）： 2001年11月06日
要約：

【要約】基質上に機能層を被覆する工程を含む半導体装置の製造法において、該基質は支持材とガラス層とを含む積層体であり、該ガラス層は700μmよりも薄いことを特徴とする方法が記載されている。支持材はプラスティックスの箔であることが好ましい。積層体は軽量であることと高強度であることが組み合わされ、従って液晶ディスプレー、プラズマ・ディスプレー、フィールド・エミッション・ディスプレーまたは有機性発光ポリマー・ディスプレーのようなフラットパネル・ディスプレーを製造するのに適した基質である。機能層の好適な例は例えば電気伝導層、液晶配向層、カラー・フィルター、エレクトロリュミネッセンス層、不動態化層および燐の層である。

請求項（抜粋）：

基質上に機能層を被覆する工程を含む半導体装置の製造法において、該基質は支持体とガラス層を具備する積層体であり、該ガラス層の厚さは700μmよりも薄いことを特徴とする方法。

IPC (3件)：

B32B 17/10 , G02F 1/1337 , G03C 1/91

FI (3件)：

B32B 17/10 , G02F 1/1337 , G03C 1/91

Fターム (26件)：

2H023FA01 , 2H090HB08Y , 2H090JB02 , 2H090LA01 , 4F100AA02J , 4F100AA36C , 4F100AG00A , 4F100AK02B , 4F100AK42B , 4F100AK45B , 4F100AK54B , 4F100AK55B , 4F100AR00C , 4F100AT00B , 4F100BA03 , 4F100BA10A , 4F100BA10B , 4F100BA10C , 4F100GB41 , 4F100JA11C , 4F100JA20A , 4F100JG01C , 4F100JG05C , 4F100JK01 , 4F100JL03 , 4F100YY00A

引用特許：

審査官引用 (5件)

透明導電性基板およびそれを用いた表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-081456 出願人：株式会社東芝
色素転写及びラミネーションによるカラーフィルタ配列の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-220123 出願人：イーストマンコダックカンパニー
特開昭62-222222

全件表示

前のページに戻る