高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-073273
公開番号（公開出願番号）：特開2004-002720
出願日： 2003年03月18日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【解決手段】式(1)で表される繰り返し単位を含む重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。 (R1〜R3は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、R4は単結合又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基、R5はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、300nm以下、特に200nm以下の波長における感度が優れている上に、スルホン類又はスルホン酸エステル類を含むモノマーの共重合体をベース樹脂に用いることによりレジストの透明性、密着性、現像液浸透性が向上し、それと同時に優れたプラズマエッチング耐性を有することがわかった。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。

IPC (5件)：

C08F28/02 , C08F10/14 , C08F32/08 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (5件)：

C08F28/02 , C08F10/14 , C08F32/08 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (35件)：

2H025AA01 , 2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CC03 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J100AK32Q , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AP01Q , 4J100AR11P , 4J100AR11R , 4J100BA15P , 4J100BA58Q , 4J100BA58R , 4J100BC07P , 4J100BC07Q , 4J100BC07R , 4J100BC08P , 4J100BC08Q , 4J100BC09P , 4J100BC12R , 4J100BC53R , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-075440 出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社

審査官引用 (1件)

新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-075440 出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社

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