新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (3件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-075440
公開番号（公開出願番号）：特開2004-002725
出願日： 2003年03月19日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【解決手段】下記一般式(1)で表されるスルホン酸エステル化合物。 (式中、R1〜R3はH、F、又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R4は単結合又はアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基である。R5はフッ素化されたアルキル基である。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度が優れている上に、スルホン酸エステル又はスルホンを含む化合物の共重合体をベース樹脂に用いることによりレジストの透明性、密着性、現像液浸透性が向上し、それと同時に優れたプラズマエッチング耐性を有することがわかった。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表されるスルホン酸エステル化合物。

IPC (5件)：

C08F28/02 , C07C309/67 , C07C317/12 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (5件)：

C08F28/02 , C07C309/67 , C07C317/12 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (44件)：

2H025AA04 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4H006AA01 , 4H006AB46 , 4H006AB76 , 4J100AB07Q , 4J100AP01P , 4J100AR11P , 4J100AR11Q , 4J100AR21P , 4J100AR32P , 4J100AR32Q , 4J100BA02Q , 4J100BA03Q , 4J100BA15Q , 4J100BA55P , 4J100BA58P , 4J100BB07P , 4J100BB07Q , 4J100BB12P , 4J100BB17P , 4J100BB17Q , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100BC04P , 4J100BC08P , 4J100BC12P , 4J100BC43Q , 4J100BC53P , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平4-198939
ポジ型フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-240600 出願人：富士写真フイルム株式会社
特開昭59-139355

審査官引用 (7件)

特開平4-198939
特開平4-198939
ポジ型フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-240600 出願人：富士写真フイルム株式会社

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引用文献：

出願人引用 (1件)

Chemical Abstracts, AN 78:72647

審査官引用 (3件)

Chemical Abstracts, AN 78:72647
Chemical Abstracts, AN 78:72647
Chemical Abstracts, AN 78:72647

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